2N2222AE3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N2222AE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N2222AE3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N2222AE3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N2222AE3
- Part Number:
- 2N2222AE3
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- SMALL-SIGNAL BJT
- Status bezołowiowy:
- Zgodny z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37300 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N2222AE3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-18 |
| Seria: | - |
| Status RoHS: | RoHS Compliant |
| Moc - Max: | 500mW |
| Package / Case: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 50nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N2222AE3
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU