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2N2222AE3
- Modelo do Produto:
- 2N2222AE3
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- SMALL-SIGNAL BJT
- Status sem chumbo:
- Em conformidade com a RoHS
- Quantidade em estoque:
- 37300 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 2N2222AE3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-18 |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | RoHS Compliant |
| Power - Max: | 500mW |
| Caixa / Gabinete: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 50nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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