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AS6C2008A-55BINTR
- 제품 모델:
- AS6C2008A-55BINTR
- 기술:
- IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 54534 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- AS6C2008A-55BINTR.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | 55ns |
| 전압 - 공급: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 과학 기술: | SRAM - Asynchronous |
| 제조업체 장치 패키지: | 36-TFBGA (6x8) |
| 연속: | - |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 36-TFBGA |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 2Mb (256K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 8 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8) |
| 액세스 시간: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
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