AS6C2008A-55BINTR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro AS6C2008A-55BINTR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro AS6C2008A-55BINTR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si AS6C2008A-55BINTR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
AS6C2008A-55BINTR
- Part Number:
- AS6C2008A-55BINTR
- Výrobce:
- Alliance Memory, Inc.
- Popis:
- IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 54534 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- AS6C2008A-55BINTR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 55ns |
| Napětí - Supply: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Technika: | SRAM - Asynchronous |
| Dodavatel zařízení Package: | 36-TFBGA (6x8) |
| Série: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 36-TFBGA |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Volatile |
| Velikost paměti: | 2Mb (256K x 8) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | SRAM |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8) |
| přístupová doba: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AS6C2008A-55BINTR
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy