AS6C2008A-55BINTR
Artikelnummer:
AS6C2008A-55BINTR
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung:
IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
54534 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
AS6C2008A-55BINTR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:55ns
Spannungsversorgung:2.7 V ~ 5.5 V
Technologie:SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse:36-TFBGA (6x8)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:36-TFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:2Mb (256K x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8)
Zugriffszeit:55ns
Email:[email protected]

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