AS6C2008A-55BINTR
Número de pieza:
AS6C2008A-55BINTR
Fabricante:
Alliance Memory, Inc.
Descripción:
IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
54534 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
AS6C2008A-55BINTR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:55ns
Suministro de voltaje:2.7 V ~ 5.5 V
Tecnología:SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo:36-TFBGA (6x8)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:36-TFBGA
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:2Mb (256K x 8)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8)
Tiempo de acceso:55ns
Email:[email protected]

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