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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 5mA |
Vgs(最大): | +19V, -8V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247-4L |
シリーズ: | C3M™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 78 mOhm @ 20A, 15V |
電力消費(最大): | 113.5W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-247-4 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
水分感受性レベル(MSL): | Not Applicable |
メーカーの標準リードタイム: | 26 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 660pF @ 600V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 35nC @ 15V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1000V |
詳細な説明: | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |