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C3M0065100K
- Modèle de produit:
- C3M0065100K
- Fabricant:
- Cree Wolfspeed
- La description:
- 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 54077 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- C3M0065100K.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 5mA |
| Vgs (Max): | +19V, -8V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | TO-247-4L |
| Séries: | C3M™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Dissipation de puissance (max): | 113.5W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-4 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | Not Applicable |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 26 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 15V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1000V |
| Description détaillée: | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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