Το C3M0065100K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C3M0065100K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C3M0065100K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C3M0065100K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C3M0065100K
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C3M0065100K
- Κατασκευαστής:
- Cree Wolfspeed
- Περιγραφή:
- 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54077 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C3M0065100K.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 5mA |
| Vgs (Max): | +19V, -8V |
| Τεχνολογία: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247-4L |
| Σειρά: | C3M™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 113.5W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-4 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | Not Applicable |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1000V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C3M0065100K
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065090J | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Έρευνα |
 |
C3M0075120J-TR | Cree Wolfspeed | 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON | Έρευνα |
|
C3M0120090J-TR | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 22A | Έρευνα |
 |
C3M0120100K | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L | Έρευνα |
|
C3M0120100J | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 | Έρευνα |
 |
C3M0030090K | Cree Wolfspeed | ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE | Έρευνα |
 |
C3M0120090D | Cree Wolfspeed | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | Έρευνα |
|
C3M0120090J | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 22A | Έρευνα |
|
C3M0065090D | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | Έρευνα |
|
C3M0065090J-TR | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Έρευνα |
|
C3M0280090D | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 11.5A | Έρευνα |
|
C3M0280090J-TR | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 11A | Έρευνα |
 |
SI5445BDC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 | Έρευνα |
|
C3M0065100J | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 | Έρευνα |
 |
C3M0075120K | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4 | Έρευνα |
 |
SI7478DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8 | Έρευνα |
 |
BSS138BKW,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V SOT323 | Έρευνα |
|
C3M0065100J-TR | Cree Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | Έρευνα |
 |
C3M0075120J | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 | Έρευνα |
|
C3M0280090J | Cree Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 11A | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS