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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 5mA |
Vgs(最大): | +15V, -4V |
技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-263-7 |
シリーズ: | C3M™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 90 mOhm @ 20A, 15V |
電力消費(最大): | 113.6W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1350pF @ 1000V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 51nC @ 15V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1200V |
詳細な説明: | N-Channel 1200V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount TO-263-7 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |