C3M0075120J-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C3M0075120J-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C3M0075120J-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C3M0075120J-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C3M0075120J-TR
- Part Number:
- C3M0075120J-TR
- Producent:
- Cree Wolfspeed
- Opis:
- 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON
- Wielkość zbiorów:
- 36656 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- C3M0075120J-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Vgs (maks.): | +15V, -4V |
| Technologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-263-7 |
| Seria: | C3M™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Strata mocy (max): | 113.6W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1350pF @ 1000V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 51nC @ 15V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 1200V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 1200V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount TO-263-7 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C3M0075120J-TR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS