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SSM3K309T(TE85L,F)
- Modello di prodotti:
- SSM3K309T(TE85L,F)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 44515 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SSM3K309T(TE85L,F).pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 31 mOhm @ 4A, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | SSM3K309T(TE85LF)TR SSM3K309TTE85LF |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1020pF @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 4.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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