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SSM3K309T(TE85L,F)
- Artikelnummer:
- SSM3K309T(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 44515 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SSM3K309T(TE85L,F).pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TSM |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 4A, 4V |
| Verlustleistung (max): | 700mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | SSM3K309T(TE85LF)TR SSM3K309TTE85LF |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1020pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 4.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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