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SSM3K303T(TE85L,F)
- Artikelnummer:
- SSM3K303T(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 32440 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TSM |
| Serie: | π-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 83 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 700mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | SSM3K303T(TE85LF)CT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.3nC @ 4V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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