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SSM3K309T(TE85L,F)
- Modèle de produit:
- SSM3K309T(TE85L,F)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 44515 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SSM3K309T(TE85L,F).pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TSM |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 4A, 4V |
| Dissipation de puissance (max): | 700mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | SSM3K309T(TE85LF)TR SSM3K309TTE85LF |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1020pF @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 4.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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