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SSM3K16FU,LF
- Modèle de produit:
- SSM3K16FU,LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USM
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 58860 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SSM3K16FU,LF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | USM |
| Séries: | π-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipation de puissance (max): | 150mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms: | SSM3K16FU,LF(B SSM3K16FU,LF(T SSM3K16FULFTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.3pF @ 3V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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