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SSM3K2615TU,LF
- Modello di prodotti:
- SSM3K2615TU,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 23530 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SSM3K2615TU,LF.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UFM |
| Serie: | π-MOSV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 3-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi: | SSM3K2615TULFCT |
| temperatura di esercizio: | 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 3.3V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 60V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SSM3K2615TU,LF
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