R6004CNDTL
R6004CNDTL
Modello di prodotti:
R6004CNDTL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 4A CPT
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
55540 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
R6004CNDTL.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:CPT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.8 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:R6004CNDTLDKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 4A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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