Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R6004CNDTL
R6004CNDTL
R6004CNDTL
Αριθμός εξαρτήματος:
R6004CNDTL
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 4A CPT
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
55540 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
R6004CNDTL.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το R6004CNDTL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6004CNDTL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6004CNDTL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6004CNDTL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±25V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:CPT3
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.8 Ohm @ 2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):40W (Tc)
Συσκευασία:Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Αλλα ονόματα:R6004CNDTLDKR
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:11nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 4A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για R6004CNDTL

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
R6002030XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 Έρευνα
R6002END3TL1 Image R6002END3TL1 LAPIS Semiconductor NCH 600V 2A POWER MOSFET Έρευνα
R6004KNJTL Image R6004KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 Έρευνα
R6002225XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 Έρευνα
R6001630XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 Έρευνα
R6004ENDTL Image R6004ENDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 Έρευνα
R6006ANDTL Image R6006ANDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A CPT Έρευνα
R6006ANX Image R6006ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM Έρευνα
R6004ENX Image R6004ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Έρευνα
R6002625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 Έρευνα
R6007ENJTL Image R6007ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPT Έρευνα
R6007ENX Image R6007ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220 Έρευνα
R6001825XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 Έρευνα
R6002ENDTL Image R6002ENDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 Έρευνα
R6004ENJTL Image R6004ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A LPT Έρευνα
R6007KNJTL Image R6007KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 Έρευνα
R6004KNX Image R6004KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Έρευνα
R6001830XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 Έρευνα
R6002025XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 Έρευνα
R6002425XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 Έρευνα

Latest Ειδήσεις