Το R6001830XXYA είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6001830XXYA, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6001830XXYA μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6001830XXYA με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
R6001830XXYA
- Αριθμός εξαρτήματος:
- R6001830XXYA
- Κατασκευαστής:
- Powerex, Inc.
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59681 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- R6001830XXYA.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.4V @ 800A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1800V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-205AB, DO-9 |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 13µs |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 1800V 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 50mA @ 1800V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 300A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για R6001830XXYA
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
R6000830XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | Έρευνα |
|
R6002425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6001625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | Έρευνα |
 |
R6004ENDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | Έρευνα |
 |
R6004ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A LPT | Έρευνα |
|
R6002030XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | Έρευνα |
|
R6002025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6001025XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | Έρευνα |
|
R6001630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | Έρευνα |
|
R6001425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6001230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | Έρευνα |
|
R6002225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | Έρευνα |
 |
R6002END3TL1 | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 2A POWER MOSFET | Έρευνα |
|
R6001225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6001825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6002ENDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | Έρευνα |
|
R6004CNDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT | Έρευνα |
|
R6002625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6001430XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | Έρευνα |
|
R6001030XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό