R6001830XXYA è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per R6001830XXYA, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per R6001830XXYA via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista R6001830XXYA con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
R6001830XXYA
- Modello di prodotti:
- R6001830XXYA
- fabbricante:
- Powerex, Inc.
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 59681 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- R6001830XXYA.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.4V @ 800A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1800V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-205AB, DO-9 |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 13µs |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Chassis, Stud Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 1800V 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 50mA @ 1800V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 300A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per R6001830XXYA
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
R6000830XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | Inchiesta |
|
R6002425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | Inchiesta |
 |
R6004ENDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | Inchiesta |
 |
R6004ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A LPT | Inchiesta |
|
R6002030XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | Inchiesta |
|
R6002025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001025XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | Inchiesta |
|
R6001630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | Inchiesta |
|
R6001425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | Inchiesta |
|
R6002225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | Inchiesta |
 |
R6002END3TL1 | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 2A POWER MOSFET | Inchiesta |
|
R6001225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6002ENDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | Inchiesta |
|
R6004CNDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT | Inchiesta |
|
R6002625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001430XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | Inchiesta |
|
R6001030XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione