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R6002030XXYA
- Modello di prodotti:
- R6002030XXYA
- fabbricante:
- Powerex, Inc.
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 31804 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- R6002030XXYA.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.4V @ 800A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 2000V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-205AB, DO-9 |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 13µs |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Chassis, Stud Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 2000V 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 50mA @ 2000V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 300A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per R6002030XXYA
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
R6001830XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | Inchiesta |
|
R6002025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | Inchiesta |
 |
R6004ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A LPT | Inchiesta |
|
R6002225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | Inchiesta |
|
R6001430XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | Inchiesta |
 |
R6004ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | Inchiesta |
 |
R6002ENDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | Inchiesta |
|
R6002425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6002625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6004KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 | Inchiesta |
|
R6001825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | Inchiesta |
 |
R6002END3TL1 | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 2A POWER MOSFET | Inchiesta |
|
R6004CNDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT | Inchiesta |
|
R6001630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | Inchiesta |
|
R6001030XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | Inchiesta |
|
R6001425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6001625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6004ENDTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | Inchiesta |
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