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JAN1N5554US
- Modello di prodotti:
- JAN1N5554US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 49652 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN1N5554US.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.3V @ 9A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1000V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-5B |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 2µs |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, B |
| Altri nomi: | 1086-15219 1086-15219-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 1000V 5A Surface Mount D-5B |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 1000V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 5A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N5554US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Inchiesta |
 |
JAN1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N5615US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A | Inchiesta |
|
JAN1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5546DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | Inchiesta |
|
JAN1N5618US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | Inchiesta |
 |
JAN1N5552US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N5616US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5550US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N5616 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5617US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | Inchiesta |
 |
JAN1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N5550 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5618 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5617 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5554 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
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