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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N5553
JAN1N5553
Modello di prodotti:
JAN1N5553
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
51220 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
JAN1N5553.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.3V @ 9A
Tensione - inversa (Vr) (max):800V
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/420
Tempo di ripristino inverso (trr):2µs
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:B, Axial
Altri nomi:1086-2099
1086-2099-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 800V 3A Through Hole
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per JAN1N5553

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Inchiesta
JAN1N5552US Image JAN1N5552US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF Inchiesta
JAN1N5554US Image JAN1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B Inchiesta
JAN1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5551 Image JAN1N5551 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL Inchiesta
JAN1N5553US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF Inchiesta
JAN1N5551US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF Inchiesta
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Inchiesta
JAN1N5546D-1 Image JAN1N5546D-1 Microsemi DIODE ZENER 33V 500MW DO35 Inchiesta
JAN1N5546CUR-1 Image JAN1N5546CUR-1 Microsemi DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA Inchiesta
JAN1N5614 Image JAN1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5550 Image JAN1N5550 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Inchiesta
JAN1N5546C-1 Image JAN1N5546C-1 Microsemi DIODE ZENER 33V 500MW DO35 Inchiesta
JAN1N5552 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Inchiesta
JAN1N5614US Image JAN1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Inchiesta
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5550US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF Inchiesta
JAN1N5546DUR-1 Image JAN1N5546DUR-1 Microsemi DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA Inchiesta
JAN1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Inchiesta
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