JAN1N5552 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per JAN1N5552, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per JAN1N5552 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista JAN1N5552 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
JAN1N5552
- Modello di prodotti:
- JAN1N5552
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 23695 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN1N5552.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.2V @ 9A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 600V |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 2µs |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | B, Axial |
| Altri nomi: | 1086-2098 1086-2098-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 600V 3A Through Hole |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 600V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 3A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N5552
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5546C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | Inchiesta |
 |
JAN1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N5614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5550US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N5546CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | Inchiesta |
 |
JAN1N5616 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5546B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | Inchiesta |
 |
JAN1N5554US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B | Inchiesta |
 |
JAN1N5615US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A | Inchiesta |
|
JAN1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5550 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5546DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | Inchiesta |
|
JAN1N5546BUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | Inchiesta |
|
JAN1N5554 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5552US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5546D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico