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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N5618US
JAN1N5618US
Modello di prodotti:
JAN1N5618US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
29412 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
JAN1N5618US.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.3V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:D-5A
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/429
Tempo di ripristino inverso (trr):2µs
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Altri nomi:1086-2109
1086-2109-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 200°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
Corrente - Dispersione inversa a Vr:500nA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per JAN1N5618US

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
JAN1N5554US Image JAN1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B Inchiesta
JAN1N5620US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Inchiesta
JAN1N5619US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Inchiesta
JAN1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Inchiesta
JAN1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5614 Image JAN1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5618 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5614US Image JAN1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Inchiesta
JAN1N5621US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Inchiesta
JAN1N5619 Image JAN1N5619 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Inchiesta
JAN1N5623 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Inchiesta
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JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5622 Image JAN1N5622 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N5623US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Inchiesta
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