JAN1N5620 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per JAN1N5620, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per JAN1N5620 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista JAN1N5620 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
JAN1N5620
- Modello di prodotti:
- JAN1N5620
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 23487 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN1N5620.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1A |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/427 |
| Stato RoHS: | Bulk |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | - |
| Polarizzazione: | A, Axial |
| Altri nomi: | 1086-2111 1086-2111-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 2µs |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | JAN1N5620 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 800V 1A Through Hole |
| Configurazione diodo: | 500nA @ 800V |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1.3V @ 3A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 800V |
| Capacità a Vr, F: | -65°C ~ 200°C |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N5620
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5615US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A | Inchiesta |
 |
JAN1N5616 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5711-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 | Inchiesta |
 |
JAN1N5618US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5616US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5620US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | Inchiesta |
 |
JAN1N5617 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5623 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5617US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5618 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5711UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA | Inchiesta |
|
JAN1N5802 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5619US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N5621 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5619 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5622US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | Inchiesta |
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash