Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFX180N10
IXFX180N10
IXFX180N10
Modello di prodotti:
IXFX180N10
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
47853 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFX180N10.pdf
Inchiesta

introduzione

IXFX180N10 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IXFX180N10, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IXFX180N10 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IXFX180N10 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):560W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:390nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXFX180N10

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IXFX180N085 Image IXFX180N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 Inchiesta
IXFX14N100 Image IXFX14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247 Inchiesta
IXFX170N20P Image IXFX170N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 Inchiesta
IXFX200N10P Image IXFX200N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 Inchiesta
IXFX15N100 Image IXFX15N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247 Inchiesta
IXFX150N15 Image IXFX150N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247 Inchiesta
IXFX20N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3 Inchiesta
IXFX160N30T Image IXFX160N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247 Inchiesta
IXFX180N15P Image IXFX180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 Inchiesta
IXFX20N120 Image IXFX20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 Inchiesta
IXFX210N17T Image IXFX210N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 Inchiesta
IXFX21N100Q Image IXFX21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 Inchiesta
IXFX210N30X3 Image IXFX210N30X3 IXYS Corporation 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Inchiesta
IXFX170N20T Image IXFX170N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 Inchiesta
IXFX140N30P Image IXFX140N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247 Inchiesta
IXFX20N120P Image IXFX20N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 Inchiesta
IXFX180N25T Image IXFX180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 Inchiesta
IXFX180N07 Image IXFX180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247 Inchiesta
IXFX21N100F Image IXFX21N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 Inchiesta
IXFX150N30P3 Image IXFX150N30P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 150A TO-247 Inchiesta

Latest Notizie