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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFX180N07
IXFX180N07
IXFX180N07
Modello di prodotti:
IXFX180N07
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
25665 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFX180N07.pdf
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introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):568W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:Q1150608
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:420nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):70V
Descrizione dettagliata:N-Channel 70V 180A (Tc) 568W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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