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IXFX21N100F
- Modello di prodotti:
- IXFX21N100F
- fabbricante:
- IXYS RF
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 24229 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXFX21N100F.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLUS247™-3 |
| Serie: | HiPerRF™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 500 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFX21N100F
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX180N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX250N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX20N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX210N17T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX24N90Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 | Inchiesta |
|
IXFX24N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 | Inchiesta |
|
IXFX21N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 | Inchiesta |
 |
IXFX240N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3 | Inchiesta |
|
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX24N100F | IXYS RF | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 | Inchiesta |
|
IXFX180N085 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX240N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX200N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX210N30X3 | IXYS Corporation | 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Inchiesta |
|
IXFX220N17T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX230N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX24N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX180N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 | Inchiesta |
|
IXFX180N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247 | Inchiesta |
 |
IXFX20N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3 | Inchiesta |
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