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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFX180N10
IXFX180N10
IXFX180N10
Modèle de produit:
IXFX180N10
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
47853 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFX180N10.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PLUS247™-3
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 90A, 10V
Dissipation de puissance (max):560W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:390nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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