IXFN210N20P
IXFN210N20P
Modello di prodotti:
IXFN210N20P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
42975 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFN210N20P.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:10.5 mOhm @ 105A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1070W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:18600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:255nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 188A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:188A (Tc)
Email:[email protected]

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