IXFN200N10P
IXFN200N10P
Modello di prodotti:
IXFN200N10P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
54280 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFN200N10P.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:7600pF @ 25V
Tensione - Ripartizione:SOT-227B
Vgs (th) (max) a Id:7.5 mOhm @ 500mA, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:Polar™
Stato RoHS:Tube
Rds On (max) a Id, Vgs:200A
Polarizzazione:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFN200N10P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:235nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 8mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100V
rapporto di capacità:680W (Tc)
Email:[email protected]

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