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IXFN220N20X3
- Modello di prodotti:
- IXFN220N20X3
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 29938 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXFN220N20X3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.2 mOhm @ 110A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 390W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 13600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 204nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V 160A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFN220N20X3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN260N17T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN230N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN180N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN20N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN25N90 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN210N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN180N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN24N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN200N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN24N100F | IXYS RF | MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B | Inchiesta |
|
IXFN230N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN23N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN210N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN210N30X3 | IXYS Corporation | FET N-CHANNEL | Inchiesta |
|
IXFN21N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN20N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN240N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 | Inchiesta |
|
IXFN24N90Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN240N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B | Inchiesta |
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