Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN170N65X2
IXFN170N65X2
IXFN170N65X2
Modello di prodotti:
IXFN170N65X2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH
Quantità di magazzino:
49597 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFN170N65X2.pdf
Inchiesta

introduzione

IXFN170N65X2 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IXFN170N65X2, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IXFN170N65X2 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IXFN170N65X2 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:13 mOhm @ 85A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1170W (Tc)
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:27000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:434nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:170A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXFN170N65X2

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IXFN180N10 Image IXFN180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B Inchiesta
IXFN20N120P Image IXFN20N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Inchiesta
IXFN180N25T Image IXFN180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 Inchiesta
IXFN180N15P Image IXFN180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B Inchiesta
IXFN200N10P Image IXFN200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B Inchiesta
IXFN20N120 Image IXFN20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Inchiesta
IXFN150N65X2 Image IXFN150N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 Inchiesta
IXFN180N20 Image IXFN180N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B Inchiesta
IXFN180N07 Image IXFN180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B Inchiesta
IXFN140N20P Image IXFN140N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B Inchiesta
IXFN140N30P Image IXFN140N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B Inchiesta
IXFN170N30P Image IXFN170N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B Inchiesta
IXFN140N25T Image IXFN140N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 Inchiesta
IXFN170N25X3 Image IXFN170N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B Inchiesta
IXFN210N20P Image IXFN210N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B Inchiesta
IXFN150N10 Image IXFN150N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 Inchiesta
IXFN170N10 Image IXFN170N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B Inchiesta
IXFN150N15 Image IXFN150N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 Inchiesta
IXFN160N30T Image IXFN160N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 Inchiesta
IXFN200N07 Image IXFN200N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B Inchiesta

Latest Notizie