IXFN170N65X2
IXFN170N65X2
Número de pieza:
IXFN170N65X2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH
Cantidad de stock:
49597 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXFN170N65X2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:13 mOhm @ 85A, 10V
La disipación de energía (máximo):1170W (Tc)
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:27000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:434nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:170A (Tc)
Email:[email protected]

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