FDWS9509L-F085
Modello di prodotti:
FDWS9509L-F085
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
PMOS PWR56 40V 8 MOHM
Quantità di magazzino:
43148 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDWS9509L-F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (5.1x6.3)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 65A, 10V
Dissipazione di potenza (max):107W (Tj)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDWS9509L-F085OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo:Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3360pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:67nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:P-Channel 40V 65A (Tc) 107W (Tj) Surface Mount 8-DFN (5.1x6.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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