FDWS9408-F085
Modello di prodotti:
FDWS9408-F085
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 40V 80A 8PQFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
43160 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDWS9408-F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):214W (Tj)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDWS9408_F085
FDWS9408_F085-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5150pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:92nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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