FDWS86068-F085
Modello di prodotti:
FDWS86068-F085
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
NMOS PWR56 100V 5.8 MOHM
Quantità di magazzino:
57977 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDWS86068-F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (5.1x6.3)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:6.4 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):214W (Ta)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2220pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 80A (Tc) 214W (Ta) Surface Mount 8-DFN (5.1x6.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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