Το FDWS9509L-F085 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FDWS9509L-F085, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FDWS9509L-F085 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FDWS9509L-F085 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FDWS9509L-F085
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FDWS9509L-F085
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- PMOS PWR56 40V 8 MOHM
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43148 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FDWS9509L-F085.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-DFN (5.1x6.3) |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 65A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 107W (Tj) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-PowerTDFN |
| Αλλα ονόματα: | FDWS9509L-F085OSCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση: | Lead free |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 3360pF @ 20V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 67nC @ 10V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 40V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 40V 65A (Tc) 107W (Tj) Surface Mount 8-DFN (5.1x6.3) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 65A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FDWS9509L-F085
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο