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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF8G27LS-100U
BLF8G27LS-100U
BLF8G27LS-100U
Modello di prodotti:
BLF8G27LS-100U
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
49178 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
BLF8G27LS-100U.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:SOT502B
Serie:-
Alimentazione - uscita:25W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SOT-502B
Altri nomi:1603-1141
934068313112
BLF8G27LS-100U-ND
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:17dB
Frequenza:2.5GHz ~ 2.7GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W SOT502B
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:900mA
Numero di parte base:BLF8G27
Email:[email protected]

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Parti relative per BLF8G27LS-100U

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF8G24LS-150VU Image BLF8G24LS-150VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G27LS-100GVJ Image BLF8G27LS-100GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G27LS-140V Ampleon RF FET Inchiesta
BLF8G27LS-150GVJ Image BLF8G27LS-150GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G24LS-200P,112 Image BLF8G24LS-200P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G24LS-200PNU Image BLF8G24LS-200PNU Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G27LS-100V,118 Image BLF8G27LS-100V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G27LS-100V,112 Image BLF8G27LS-100V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G27LS-150GVQ Image BLF8G27LS-150GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G27LS-140,118 Image BLF8G27LS-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B Inchiesta
BLF8G27LS-100GVQ Image BLF8G27LS-100GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G27LS-100J Image BLF8G27LS-100J Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B Inchiesta
BLF8G27LS-140V,118 Image BLF8G27LS-140V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B Inchiesta
BLF8G27LS-100PU Image BLF8G27LS-100PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B Inchiesta
BLF8G24LS-200PNJ Image BLF8G24LS-200PNJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G24LS-200P,118 Image BLF8G24LS-200P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G27LS-140V,112 Image BLF8G27LS-140V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B Inchiesta
BLF8G27LS-150VJ Image BLF8G27LS-150VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B Inchiesta
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BLF8G27LS-100PJ Image BLF8G27LS-100PJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B Inchiesta

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