Το BLF8G27LS-100U είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLF8G27LS-100U, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLF8G27LS-100U μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLF8G27LS-100U με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLF8G27LS-100U
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLF8G27LS-100U
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49178 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLF8G27LS-100U.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT502B |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 25W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-502B |
| Αλλα ονόματα: | 1603-1141 934068313112 BLF8G27LS-100U-ND |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 17dB |
| Συχνότητα: | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W SOT502B |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | - |
| Τρέχουσες - Test: | 900mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BLF8G27 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLF8G27LS-100U
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G24LS-150VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | Έρευνα |
 |
BLF8G27LS-100GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | Έρευνα |
 |
BLF8G27LS-140V | Ampleon | RF FET | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-150GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Έρευνα |
 |
BLF8G24LS-200P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Έρευνα |
|
BLF8G24LS-200PNU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-100V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-100V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-150GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Έρευνα |
 |
BLF8G27LS-140,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-100GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-100J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF8G27LS-140V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | Έρευνα |
 |
BLF8G27LS-100PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B | Έρευνα |
|
BLF8G24LS-200PNJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Έρευνα |
|
BLF8G24LS-200P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-140V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | Έρευνα |
 |
BLF8G27LS-150VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF8G27LS-100PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS