ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BLF8G27LS-100U
BLF8G27LS-100U
BLF8G27LS-100U
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BLF8G27LS-100U
ผู้ผลิต:
Ampleon
ลักษณะ:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
49178 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
BLF8G27LS-100U.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BLF8G27LS-100U พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BLF8G27LS-100U เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BLF8G27LS-100U ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLF8G27LS-100U ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:65V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT502B
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:25W
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-502B
ชื่ออื่น:1603-1141
934068313112
BLF8G27LS-100U-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:13 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ได้รับ:17dB
ความถี่:2.5GHz ~ 2.7GHz
คำอธิบายโดยละเอียด:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W SOT502B
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:900mA
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน:BLF8G27
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLF8G27LS-100U

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLF8G24LS-150VU Image BLF8G24LS-150VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B การสอบสวน
BLF8G27LS-100GVJ Image BLF8G27LS-100GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C การสอบสวน
BLF8G27LS-140V Ampleon RF FET การสอบสวน
BLF8G27LS-150GVJ Image BLF8G27LS-150GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C การสอบสวน
BLF8G24LS-200P,112 Image BLF8G24LS-200P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B การสอบสวน
BLF8G24LS-200PNU Image BLF8G24LS-200PNU Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B การสอบสวน
BLF8G27LS-100V,118 Image BLF8G27LS-100V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B การสอบสวน
BLF8G27LS-100V,112 Image BLF8G27LS-100V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B การสอบสวน
BLF8G27LS-150GVQ Image BLF8G27LS-150GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C การสอบสวน
BLF8G27LS-140,118 Image BLF8G27LS-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B การสอบสวน
BLF8G27LS-100GVQ Image BLF8G27LS-100GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C การสอบสวน
BLF8G27LS-100J Image BLF8G27LS-100J Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B การสอบสวน
BLF8G27LS-140V,118 Image BLF8G27LS-140V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B การสอบสวน
BLF8G27LS-100PU Image BLF8G27LS-100PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B การสอบสวน
BLF8G24LS-200PNJ Image BLF8G24LS-200PNJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B การสอบสวน
BLF8G24LS-200P,118 Image BLF8G24LS-200P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B การสอบสวน
BLF8G27LS-140V,112 Image BLF8G27LS-140V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B การสอบสวน
BLF8G27LS-150VJ Image BLF8G27LS-150VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B การสอบสวน
BLF8G27LS-140,112 Image BLF8G27LS-140,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B การสอบสวน
BLF8G27LS-100PJ Image BLF8G27LS-100PJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B การสอบสวน

ข่าว Latest