BLF8G27LS-100PU è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BLF8G27LS-100PU, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BLF8G27LS-100PU via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BLF8G27LS-100PU con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BLF8G27LS-100PU
- Modello di prodotti:
- BLF8G27LS-100PU
- fabbricante:
- Ampleon
- Descrizione:
- RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 34473 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BLF8G27LS-100PU.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 28V |
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | LDMOST |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 25W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SOT-1121B |
| Altri nomi: | 934067466112 |
| Figura di rumore: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 18dB |
| Frequenza: | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 860mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 18dB 25W LDMOST |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 860mA |
| Numero di parte base: | BLF8G27 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLF8G27LS-100PU
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G27LS-150GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-100GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-150GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Inchiesta |
 |
BLF8G24LS-150VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | Inchiesta |
 |
BLF8G27LS-140,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLF8G27LS-140V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-140V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-100GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-100U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-100V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-100J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLF8G24LS-150VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | Inchiesta |
 |
BLF8G24LS-200PNJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B | Inchiesta |
|
BLF8G27LS-100V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B | Inchiesta |
|
BLF8G24LS-200PNU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Inchiesta |
|
BLF8G24LS-200P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Inchiesta |
 |
BLF8G27LS-140V | Ampleon | RF FET | Inchiesta |
|
BLF8G24LS-200P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | Inchiesta |
 |
BLF8G27LS-100PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi