MAQ4125YME-VAO tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk MAQ4125YME-VAO, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk MAQ4125YME-VAO melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli MAQ4125YME-VAO dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
MAQ4125YME-VAO
- Nomor bagian:
- MAQ4125YME-VAO
- Pabrikan:
- Micrel / Microchip Technology
- Deskripsi:
- IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 52485 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- MAQ4125YME-VAO.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Breakdown: | 8-SOIC-EP |
| shell Style: | 4.5 V ~ 20 V |
| Seri: | Automotive, AEC-Q100 |
| Status RoHS: | Tube |
| Rise / Fall Time (Typ): | 3A, 3A |
| Polarisasi: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Nama lain: | 1611-MAQ4125YME 1611-MAQ4125YME-ND |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| masukan Frekuensi: | Low-Side |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 2 (1 Year) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Nomor Bagian Produsen: | MAQ4125YME-VAO |
| Tegangan Logika - VIL, VIH: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tipe masukan: | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Tegangan - Max (Bootstrap): | 11ns, 11ns |
| Tipe Gerbang: | 2 |
| Deskripsi yang Diperluas: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC-EP |
| Deskripsi: | IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC |
| Arus - Output Puncak (Sumber, Sink): | 0.8V, 2.4V |
| Saluran per Circuit: | Independent |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk MAQ4125YME-VAO
Latest Berita
- Qorvo meluncurkan pendahuluan 5G MMIMO yang luar biasa di industri ini
- Inventaris Siklus Simulasi Bottoming Out, AI Menggerakkan Permintaan Memori Flash Berlanjut
- Rencana Mikron untuk Membangun Pabrik, NAND memori flash dengan harga tinggi atau pemeliharaan
- Kinerja ADI berkurang, substrat foil tembaga telah meningkat, penyimpanan peningkatan produksi pabrik asli konservatif
- Gelombang kecerdasan di dalam mobil akan datang, dan Aimus Oslang membantu Sagita Juguang melepaskan MX Lidar
- Kapasitas produksi HBM dikecualikan, memori DRAM mungkin kekurangan pasokan di paruh kedua tahun ini
- Pendiri dinding akan berakhir, HBM atau menyebabkan drama naik lagi
- AI Ponsel dan Permintaan Ekspansi PC, Peningkatan Industri Manufaktur Global Semikonduktor
- Memahami kebutuhan ADAS dan sistem pemantauan kabin untuk sensor gambar keamanan jaringan
- Dikabarkan bahwa Samsung dan SK Hynix menghentikan DDR3, dan kutipan promosi naik 20 %
- Melexis Dirilis MLX90427: Kontrol Garis ke Pilihan Baru, Aman, Efisien dan Ekonomis
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC