Az MAQ4125YME-VAO most elérhető!Az LYNTEAM technológia az MAQ4125YME-VAO állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetMAQ4125YME-VAOe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon MAQ4125YME-VAO LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
MAQ4125YME-VAO
- Cikkszám:
- MAQ4125YME-VAO
- Leírás:
- IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 52485 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- MAQ4125YME-VAO.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségelosztás: | 8-SOIC-EP |
| Shell Style: | 4.5 V ~ 20 V |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q100 |
| RoHS állapot: | Tube |
| Rise / Fall Time (Typ): | 3A, 3A |
| Polarizáció: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Más nevek: | 1611-MAQ4125YME 1611-MAQ4125YME-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| A járművezetők száma: | Low-Side |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 2 (1 Year) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Gyártási szám: | MAQ4125YME-VAO |
| Logikai feszültség - VIL, VIH: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Bemeneti típus: | Inverting, Non-Inverting |
| Magas oldali feszültség - Max (Bootstrap): | 11ns, 11ns |
| Kaputípus: | 2 |
| Bővített leírás: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC-EP |
| Leírás: | IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC |
| Aktuális - csúcskimenet (forrás, mosogató): | 0.8V, 2.4V |
| Csatornák egy áramkörönként: | Independent |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MAQ4125YME-VAO-hoz
Latest News
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult