Το MAQ4125YME-VAO είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MAQ4125YME-VAO, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MAQ4125YME-VAO μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MAQ4125YME-VAO με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MAQ4125YME-VAO
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MAQ4125YME-VAO
- Κατασκευαστής:
- Micrel / Microchip Technology
- Περιγραφή:
- IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52485 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MAQ4125YME-VAO.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Ανάλυση: | 8-SOIC-EP |
| Shell Style: | 4.5 V ~ 20 V |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q100 |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 3A, 3A |
| Πόλωση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Άλλα ονόματα: | 1611-MAQ4125YME 1611-MAQ4125YME-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | Low-Side |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 2 (1 Year) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | MAQ4125YME-VAO |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Τύπος εισόδου: | Inverting, Non-Inverting |
| Υψηλής Τάσης Side - Max (Bootstrap): | 11ns, 11ns |
| Τύπος πύλης: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC-EP |
| Περιγραφή: | IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 0.8V, 2.4V |
| Κανάλια ανά κύκλωμα: | Independent |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MAQ4125YME-VAO
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC