Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > 1N8031-GA
1N8031-GA
1N8031-GA
Nomor bagian:
1N8031-GA
Pabrikan:
GeneSiC Semiconductor
Deskripsi:
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Status Bebas Timbal:
Berisi timbal / RoHS tidak patuh
Jumlah stok:
47868 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
1N8031-GA.pdf
Penyelidikan

pengantar

1N8031-GA tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk 1N8031-GA, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk 1N8031-GA melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli 1N8031-GA dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Tegangan - Puncak terbalik (Max):Silicon Carbide Schottky
Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika:1A
Tegangan - Breakdown:TO-276
Seri:-
Status RoHS:Tube
Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistance @ Jika, F:76pF @ 1V, 1MHz
Polarisasi:TO-276AA
Nama lain:1242-1118
1N8031GA
Suhu Operasional - Junction:0ns
mount Jenis:Through Hole
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:18 Weeks
Nomor Bagian Produsen:1N8031-GA
Deskripsi yang Diperluas:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
Konfigurasi diode:5µA @ 650V
Deskripsi:DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr:1.5V @ 1A
Saat ini - rata Rectified (Io) (per Diode):650V
Kapasitansi @ Vr, F:-55°C ~ 250°C
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk 1N8031-GA

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
1N823-1 Image 1N823-1 Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N8026-GA Image 1N8026-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 Penyelidikan
1N821UR-1 Image 1N821UR-1 Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA Penyelidikan
1N822 Image 1N822 Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N823A Image 1N823A Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N8024-GA Image 1N8024-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 Penyelidikan
1N8033-GA Image 1N8033-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 Penyelidikan
1N823 Image 1N823 Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N8028-GA Image 1N8028-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 Penyelidikan
1N821AUR-1 Image 1N821AUR-1 Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA Penyelidikan
1N821AUR Image 1N821AUR Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA Penyelidikan
1N821A, SEL. 1% VBR Image 1N821A, SEL. 1% VBR Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N821-1 Image 1N821-1 Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N8034-GA Image 1N8034-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 Penyelidikan
1N821A (DO35) Image 1N821A (DO35) Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N8032-GA Image 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 Penyelidikan
1N8035-GA Image 1N8035-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 Penyelidikan
1N8030-GA Image 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 Penyelidikan
1N821A Image 1N821A Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Penyelidikan
1N821 Image 1N821 Microsemi DIODE ZENER DO35 Penyelidikan

Latest Berita