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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N8031-GA
1N8031-GA
1N8031-GA
Modèle de produit:
1N8031-GA
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
47868 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N8031-GA.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Inverse de crête (max):Silicon Carbide Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:TO-276
Séries:-
État RoHS:Tube
Temps de recouvrement inverse (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Résistance @ Si, F:76pF @ 1V, 1MHz
Polarisation:TO-276AA
Autres noms:1242-1118
1N8031GA
Température d'utilisation - Jonction:0ns
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Référence fabricant:1N8031-GA
Description élargie:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
Configuration diode:5µA @ 650V
La description:DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Courant - fuite, inverse à Vr:1.5V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):650V
Capacité à Vr, F:-55°C ~ 250°C
Email:[email protected]

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