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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > 1N8031-GA
1N8031-GA
1N8031-GA
Modelo do Produto:
1N8031-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
47868 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1N8031-GA.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Pico Reversa (Max):Silicon Carbide Schottky
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1A
Tensão - Breakdown:TO-276
Série:-
Status de RoHS:Tube
Inversa de tempo de recuperação (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistência @ Se, F:76pF @ 1V, 1MHz
Polarização:TO-276AA
Outros nomes:1242-1118
1N8031GA
Temperatura de Operação - Junção:0ns
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:1N8031-GA
Descrição expandida:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
configuração de diodo:5µA @ 650V
Descrição:DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Atual - dispersão reversa @ Vr:1.5V @ 1A
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):650V
Capacitância @ Vr, F:-55°C ~ 250°C
Email:[email protected]

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